昕感科技推出超低导通电阻的SiC MOSFET器件
2024-01-05近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。 昕感科技始终致力于提升国产碳化硅器件的性能，此次推出的新品基于车规级工艺平台，采用了先进的结构和制造工艺。该产品不仅具有出色的电气性能，还兼容18V栅压驱动，并配备了TO-247-4L Plus封装，进一步提升了其在高压大电流环境下的稳定性和可